Intel i Numonyx B.V. opracowały pojemną, nieulotną pamięć PCM

Intel i Numonyx B.V opracowały nowatorską technologię produkcji nieulotnych układów typu PCM (Phase-Change Memory), która pozwala budować bardzo pojemne, wielowarstwowe układy pamięci.

Układ ma architekturę stosu składającego się z wielu warstw pamięci PCM. Naukowcom udało się już zbudować taki wielowarstwowy stos, w którym każda warstwa może przechowywać 64 Mb danych. Nowa technologia (której jej twórcy nadali nazwę PCMS; PCM-stackable) pozwoli w przyszłości budować rozwiązania, które zastąpią używane obecnie układy DRAM, NOR i układy NAND/flash, i zrewolucjonizują rynek napędów SSD. Będzie to możliwe dzięki temu, że pamięci PCMS oferują bardzo duże pojemności i są bardzo atrakcyjne ze względu niski koszt przechowywania jednego gigabajta danych.

Badania nad technologią PCM-stackable trwały od 2002 r. Wiele wskazuje na to, że PCM-stackable ma szansę zdominować w najbliższych latach rynek nieulotnych pamięci. Obecnie trwają też intensywne prace na dwoma innymi technologiami produkcji pamięci nieulotnych: nad pamięciami grafenowymi (kryształy grafitu; pisaliśmy o tym tutaj) i pamięciami typu “race track". Nie wydaje się jednak, aby były one w stanie zagrozić (głównie ze względu na skomplikowany proces produkcji) technologii PCMS.

Zobacz również:

  • Naukowcy odblokowali "Świętego Graala" technologii pamięci
Intel i Numonyx B.V. opracowały pojemną, nieulotną pamięć PCM
Pamięci PCM są produkowane przy użyciu chalkogenidu (materiał podobny do szkła). Istotną cechą materiału jest to, iż jego stan można zmieniać (z krystalicznego na amorficzny), przykładając do niego bardzo niskie napięcie. Nowa pamięć jest oparta na specjalnej substancji podobnej do chalkogenidu, mającej postać cienkiego filmu. Film - któremu nadano nazwę OTS; Ovonic Threshold Switch - jest nakładany na warstwę krzemu, a następnie umieszczany między poszczególnymi warstwami układów PCM.

Oferowane obecnie nieulotne pamięci NAND/flash są produkowane przy użyciu technologii 32 nanometerów. W przyszłości będzie można użyć prawdopodobnie technologii 20 nanometrów, ale będzie to wszystko na co zezwala ta technologia. Badania pokazują, że pamięci PCMS będzie można produkować przy użyciu technologii 5 nanometrów.

W pamięciach typu NAND/flash za każdym razem gdy dane są do niej przesyłane, układ musi ponownie zapisywać cały blok danych. Pamięci PCM mają tę przewagę, że można w nich zmieniać i zapisywać dane na poziomie pojedynczego bitu.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200